中华人民共和国最高人民法院

行 政 判 决 书

（2024）最高法知行终613号

上诉人（一审原告、专利权人）：惠州某某光电器件有限公司。住所地：广东省惠州市惠城区。

法定代表人：葛某东。

委托诉讼代理人：黄细江，上海市锦天城（深圳）律师事务所律师。

被上诉人（一审被告）：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区。

法定代表人：申长雨。

委托诉讼代理人：罗崇举。

委托诉讼代理人：谭颖。

一审第三人（无效宣告请求人）：惠州某某光电科技有限公司。住所地：广东省惠州市。

法定代表人：王某琴。

委托诉讼代理人：喻新星，广东君逸律师事务所律师。

上诉人惠州某某光电器件有限公司（以下简称某2公司）与被上诉人国家知识产权局及一审第三人惠州某某光电科技有限公司（以下简称某1公司）实用新型专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为某2公司、名称为“LED多晶封装结构”的实用新型专利（以下简称本专利）。针对某1公司就本专利提出的无效宣告请求，国家知识产权局作出第561747号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），宣告本专利权全部无效；某2公司不服，向北京知识产权法院提起诉讼。北京知识产权法院于2024年5月22日作出（2023）京73行初12717号行政判决，判决驳回某2公司的诉讼请求；某2公司不服，向本院提起上诉。本院于2024年7月16日立案后，依法组成合议庭，并于2024年9月24日询问当事人。上诉人某2公司的委托诉讼代理人黄细江，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人罗崇举、谭颖，一审第三人某1公司的委托诉讼代理人喻新星到庭参加询问。本案现已审理终结。

本案基本事实如下：本专利系名称为“LED多晶封装结构”的实用新型专利，专利权人为某2公司，专利号为2014XXXXX733.2，专利申请日为2014年6月6日，授权公告日为2015年3月11日。作为本案审查基础的权利要求为：

“1.一种LED多晶封装结构，其特征在于，包括：

基板或支架，所述基板或所述支架上设置有至少3个通过绝缘隔离区相互隔开的固晶区；

多个倒装的LED晶片，各所述LED晶片横跨在各所述绝缘隔离区上，且各所述LED晶片的P型电极和N型电极分别通过导电胶体固定在相邻的两个所述固晶区的表面上，使多个所述LED晶片与至少3个所述固晶区连接形成电性通路；以及

封装胶体，所述封装胶体包覆在多个所述LED晶片的表面上。

2.根据权利要求1所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述LED晶片靠近所述基板或所述支架的一端的侧面上以及所述P型电极与所述N型电极之间的所述LED晶片的表面上设置有绝缘保护层。

3.根据权利要求2所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述LED晶片侧面上的所述绝缘保护层的高度为所述LED晶片的高度的1/3以上。

4.根据权利要求2所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述绝缘保护层的材料为二氧化硅、五氧化三钛、硅、环氧树脂、PC、玻璃或荧光胶。

5.根据权利要求1所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述导电胶体为银胶。

6.根据权利要求1所述的LED多晶封装结构，其特征在于，多个所述LED晶片相互串联。

7.根据权利要求1所述的LED多晶封装结构，其特征在于，至少一个所述绝缘隔离区上横跨有两个以上的所述LED晶片，该绝缘隔离区上的所有LED晶片并联后与其它绝缘隔离区上的LED晶片串联。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述导电胶体通过点胶方式或印刷方式固定在所述固晶区的表面上。

9.根据权利要求1至7中任意一项所述的LED多晶封装结构，其特征在于，所述基板或所述支架的材料为热可塑性树脂、热固性树脂、陶瓷或金属。”

2022年10月20日，某1公司请求国家知识产权局宣告本专利权利要求1-9无效。主要理由包括：本专利权利要求1-9不符合2008年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十二条第三款的规定，不具备创造性。

某1公司提交了如下证据：

证据1：申请公布号为CN102683553A的发明专利申请，申请公布日为2012年9月19日。

证据2：申请公布号为CN101937950A的发明专利申请，申请公布日为2011年1月5日。

证据3：授权公告号为CN203277488U的实用新型专利，授权公告日为2013年11月6日。证据3公开了一种倒装LED芯片焊接保护结构，具体公开了（参见其说明书第[0008]-[0010]段）：在芯片底面对Ｐ欧姆接触层6和Ｎ欧姆接触层3进行钝化绝缘形成钝化层80（相当于在Ｐ型电极与Ｎ型电极之间的ＬＥＤ芯片表面上设置有绝缘保护层），避免焊接处即芯片底面的Ｐ欧姆接触层6和Ｎ欧姆接触层3之间发生短路；图中，左侧壁是第一侧壁，右侧壁是第二侧壁，第一侧壁既有Ｐ型层5、6，又有Ｎ型层2，第二侧壁有Ｎ型层2、3但没有Ｐ型层，属于不同时有Ｐ型层和Ｎ型层的侧壁。第一侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底1底面，然后被绝缘的钝化层81从芯片底面覆盖至衬底1底面，覆盖第一侧壁的钝化层81外侧平齐于同侧的衬底1，第二侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底1底面，然后被绝缘的钝化层82从芯片底面覆盖至衬底1底面，覆盖第二侧壁的钝化层82外侧平齐于同侧的衬底1（相当于ＬＥＤ晶片靠近基板或支架的一端的侧面上设置有绝缘保护层）。

证据4：申请公告号为CN101546715A的发明专利申请，公开日为2009年9月30日。

2023年6月26日，国家知识产权局作出被诉决定认为：本专利权利要求1-9不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。国家知识产权局据此决定：宣告本专利权全部无效。

某2公司不服，于法定期限内向一审法院提起诉讼，请求：撤销被诉决定，并判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：（一）被诉决定对本专利采用了发明专利的创造性判断标准，不当提高了本专利的创造性门槛。被诉决定用证据1-4等多份现有技术组合评价本专利权利要求2、3、4、9的创造性，存在错误；“不具有突出的实质性特点和显著的进步”“宣告2014XXXXX733.2号发明专利权全部无效”等表述，进一步说明被诉决定将本专利作为发明专利进行评价。（二）本专利权利要求2、3、4、8（部分）、9（部分）符合实用新型的创造性标准，本专利的评价报告可佐证。

国家知识产权局一审辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确。某2公司的诉讼理由不能成立，请求法院驳回其诉讼请求。

某1公司一审述称：同意被诉决定的意见，请求法院驳回某2公司的诉讼请求。

一审审理期间，某2公司向一审法院提交了如下证据：本专利的评价报告，拟证明本专利具备创造性。国家知识产权局、某1公司对该证据的关联性不予认可。

一审庭审中，某2公司明确表示对被诉决定作出的程序、被诉决定中“一、案由”部分、被诉决定总结的本专利权利要求1与证据1的区别技术特征、本专利权利要求1实际解决的技术问题、被诉决定对本专利权利要求1、5-7创造性的评述没有异议；并且明确表示若权利要求2不具备创造性，不再坚持权利要求4、8-9具备创造性。

一审法院经审理认定了上述事实。

一审法院认为：

鉴于某2公司对被诉决定中权利要求1、5-7创造性的评述没有异议，一审法院不再进行论述，对被诉决定的相关评述予以确认。

（一）权利要求2

权利要求1要求保护一种LED多晶封装结构。从属权利要求2对权利要求1作了进一步限定，其附加技术特征为“所述LED晶片靠近所述基板或所述支架的一端的侧面上以及所述P型电极与所述N型电极之间的所述LED晶片的表面上设置有绝缘保护层。”

某2公司主张被诉决定采用证据1-4等多份现有技术组合评价本专利权利要求2、3、4、9创造性，不符合专利审查的相关规定。对此，一审法院认为，对于实用新型专利而言，一般情况下可以引用一项或两项现有技术评价其创造性。对比文件篇数的多少对权利要求是否具备创造性的评价并不具有必然影响，而是应该考虑本专利在最接近对比文件的基础上，是否是现有技术的技术特征简单叠加而来，以及是否需要本领域技术人员付出创造性劳动。并且，证据3仅用于评价本专利权利要求2中附加技术特征的创造性，证据1、证据2用于评价权利要求1中技术方案的创造性，证据1、证据2和证据3评价的并非相同的技术方案。因此，被诉决定采用证据3为对比文件评价权利要求2的创造性并无不当。

证据3在芯片上设置钝化层80、81能够避免焊接处即芯片底面的P欧姆接触层6和N欧姆接触层3之间发生短路，阻止锡膏、银浆等焊料外溢爬上芯片，解决了锡膏、银浆等焊料固晶方式漏电的问题，提高良品率，降低生产成本，与本专利中绝缘保护层的作用完全相同。证据3涉及的倒装LED芯片焊接封装与证据2覆晶式氮化镓发光二极管的制造技术类似，两者都采用倒装LED芯片封装结构，并且采用银胶等材料进行固晶，因此本领域技术人员为了阻止银胶爬升以及阻止银胶与P型层和N型层接触，容易想到采用证据3在芯片上设置钝化层的方式，从而得到权利要求2的技术方案。另外，被诉决定并未采用证据2来评述权利要求2的创造性。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2也不具有实质性特点和进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。

（二）权利要求3

权利要求3为权利要求2的从属权利要求，其附加技术特征为：所述LED晶片侧面上的所述绝缘保护层的高度为所述LED晶片的高度的1/3以上。证据3公开了在第一侧壁、第二侧壁设置被绝缘的钝化层81、82，且钝化层81、82的高度分别为第一侧壁或第二侧壁的高度，即与LED晶片的高度相同。因此可以推算出钝化层81、82的高度大于LED晶片的高度的1/3，即证据3公开了本专利权利要求3的附加技术特征。在其引用的权利要求2不具备创造性的基础上，权利要求3也不具有实质性特点和进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。

（三）权利要求4、8-9

权利要求4、8-9为直接或间接引用权利要求1的从属权利要求，鉴于某2公司明确表示如果本专利权利要求2不具备创造性，则不再坚持权利要求4、8-9的创造性，一审法院对此不再评述，对被诉决定关于本专利权利要求4、8-9不具备创造性的认定，予以确认。

综上，一审法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“驳回原告惠州某某光电器件有限公司的诉讼请求。案件受理费100元，由原告惠州某某光电器件有限公司负担。”

某2公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决；2.撤销被诉决定，并判令国家知识产权局重新作出审查决定；3.一审、二审案件受理费由国家知识产权局承担。事实和理由为：（一）一审判决遗漏国家知识产权局在被诉决定中适用发明专利创造性标准的事实。1.权利要求1中涉及的“多个倒装的LED晶片”实际为某2公司的关联公司大连某某光电科技有限公司（以下简称某3公司）持有的名称为“一种LED倒装芯片及其制备方法”、专利号为2011XXXX719.0的发明专利，一审法院遗漏审查该专利中对“倒装”的限定，导致对本专利创造性的认定错误。2.被诉决定使用的相关表述及引用多项现有技术评述本专利的创造性，表明被诉决定将本专利作为发明专利对待。3.被诉决定缺少本专利属于“简单的叠加”而成的实用新型专利的相关论述，直接引用多项现有技术，违背专利审查的相关规定。（二）一审判决错误认定本专利从属权利要求2、3所引用的现有技术数量，并遗漏审查本专利的评价报告内容。1.一审法院认为本专利权利要求2仅引用证据3进行评价、不包含证据1、2，存在错误；2.权利要求2、3相对于证据1和证据3的结合并非显而易见；3.本专利的评价报告引用本案证据1、2进行评价的初步结论为部分权利要求具备创造性，认可本专利并非现有技术简单的叠加。

国家知识产权局辩称：坚持被诉决定意见，一审判决认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，某2公司的上诉理由不成立，请求驳回上诉，维持原判。

某1公司述称：一审判决认定事实清楚，适用法律正确，作出程序合法，应予维持。

本案二审期间，当事人均未提交新证据，并对一审判决关于涉案证据真实性、合法性和关联性的认定不持异议。

一审法院认定的事实属实，本院予以确认。

二审审理过程中，某2公司明确表示对被诉决定关于权利要求1、5、6、7的评述没有异议，仅对权利要求2、3、4、8、9的评述有异议，并进一步明确是在权利要求2、3具备创造性的基础上，主张权利要求4、8、9的创造性。

以上事实，有二审询问笔录在案佐证。

本院认为，本专利的申请日为2014年6月6日，在2008年修正的专利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的专利法施行日（2021年6月1日）之前，本案应适用2008年修正的专利法。本案二审的争议焦点问题是：本专利权利要求2、3、4、8、9是否具备创造性。

专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”所谓实质性特点是指对本领域技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的；所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。如果发明或实用新型要求保护的技术方案与现有技术公开的内容相比存在的区别技术特征，已被其他现有技术公开并给出了结合的技术启示，则发明或实用新型要求保护的技术方案不具备创造性。一般认为，实用新型专利创造性的高度低于发明专利的创造性高度，在无效宣告程序中，主要体现在现有技术是否存在“技术启示”。在判断现有技术是否存在技术启示时，区别主要体现在对现有技术领域的确定及现有技术的引用数量上。对于实用新型专利而言，一般情况下可以引用一项或两项现有技术评价其创造性，对于由现有技术通过“简单的叠加”而成的实用新型专利，可以根据情况引用多项现有技术评价其创造性。

（一）关于权利要求2

某2公司上诉主张，被诉决定未论述本专利属于通过现有技术“简单的叠加”而成，径行引用两份以上现有技术评价权利要求2、3的创造性，且全文多处引用与发明创造性相关的表述，可见系采用发明的创造性标准评价本专利，存在错误。对此本院认为，首先，在本案一、二审过程中，国家知识产权局均已明确表示被诉决定中有关“不具有突出的实质性特点和显著的进步”“宣告2014XXXXX733.2号发明专利权全部无效”等表述系笔误，结合被诉决定“一、案由”部分记载的本专利相关信息以及权利要求书的具体内容可见，被诉决定针对的是本专利，国家知识产权局解释相关表述系笔误亦属合理，本院予以采纳。其次，关于被诉决定对本专利权利要求2创造性的评价标准。权利要求2系从属权利要求，引用权利要求1，而被诉决定已认定权利要求1相对于证据1、证据2和公知常识的结合不具备创造性，故被诉决定对权利要求2创造性的评述实际上使用了证据1、证据2和证据3的结合，该证据组合亦系某1公司在无效程序中所主张的证据结合方式。在专利审查过程中，并未明确禁止引用两项以上现有技术评价实用新型的创造性。具体到本案，一是，证据3与本专利的技术领域相同，均涉及LED芯片倒装技术；二是，权利要求2在权利要求1的基础上增加了“所述LED晶片靠近所述基板或所述支架的一端的侧面上以及所述P型电极与所述N型电极之间的所述LED晶片的表面上设置有绝缘保护层”的技术特征，该特征与本专利权利要求2所引用的权利要求1与证据1的区别特征并非不可分割，其结合系现有技术手段的“简单叠加”。证据3已经公开了在芯片的侧壁设置钝化层进行绝缘保护以解决焊料外溢导致的漏电问题，且在此种情况下，本领域技术人员容易想到采用证据3公开的在芯片表面及侧面上设置钝化层的技术手段，得到权利要求2的技术方案，无需付出创造性的劳动，亦未产生预料不到的技术效果。因此，被诉决定在使用证据1、2作为对比文件否定本专利独立权利要求1的创造性的基础上，结合其他对比文件否定引用权利要求1的权利要求2的技术方案的创造性，并无不当，亦未增加对该技术方案创造性的评价高度，某2公司的相关上诉主张不能成立，本院不予支持。

（二）关于权利要求3

权利要求3在权利要求2的基础上，进一步限定了绝缘保护层的高度在1／3以上，而证据3已经公开了在芯片的侧面设置钝化层，并且钝化层高度分别为第一侧壁或第二侧壁的高度，即与晶片高度相同，亦即大于晶片高度的1／3。因此，证据3实际上已经公开了权利要求3的附加技术特征，故在引用的权利要求1、2不具备创造性的情况下，权利要求3亦不具备创造性。基于与前述相似的理由，被诉决定引入证据3评述从属权利要求3的技术方案的创造性并无不当，某2公司的该项上诉主张亦不能成立，本院不予支持。

此外，某2公司还主张本专利权利要求2、3相对于证据1和证据3的结合并非显而易见，但是，某1公司在无效程序中并未主张以该种证据组合评价权利要求2、3的创造性，被诉决定亦未对该证据组合进行评述，故本院不予审查。

综上，本专利权利要求2、3的附加技术特征均已被证据3所公开，不具备创造性，某2公司的相关上诉主张不能成立，本院不予支持。

（三）关于其他权利要求

鉴于某2公司主张从属权利要求4、8、9的创造性是基于权利要求2、3的创造性，在权利要求2、3不具备创造性的情况下，从属权利要求4、8、9也不具备创造性，本院不再评述。

（四）关于某2公司的其他上诉主张

1.关于一审法院未审查某3公司“一种LED倒装芯片及其制备方法”发明专利的主张。上述专利并非被诉决定所针对的专利，与本案无关，一审法院不予审查并无不当；2.关于一审法院未审查本专利权评价报告的主张。国家知识产权局已通过无效宣告程序对本专利的创造性予以审查并作出评判，专利权评价报告与被诉行政行为无关，亦不能以专利评价报告的结论来证明本专利具备创造性，故一审法院未予审查并无不当。某2公司的上述主张均缺乏依据，本院不予支持。

综上所述，某2公司的上诉请求不能成立，应予驳回；一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：

驳回上诉，维持原判。

二审案件受理费100元，由惠州某某光电器件有限公司负担。

本判决为终审判决。

审 判 长  朱 燕

审 判 员  凌宗亮

审 判 员  郑 晔

二〇二四年十月二十五日

法官助理  黄金凤

书 记 员  尚桓羽